[15p-A408-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-A408-8] ホウ素ドープ非晶質炭素体の特性に関する第一原理分子動力学計算

〇YUE QIANG¹、金山 大志¹、松尾 航太¹、西川 僚馬¹、中本 歴¹、横谷 尚睦²、村岡 祐治² (1.岡山大院自然科学、2.岡山大基礎研)

キーワード：非晶質炭素、第一原理分子動力学計算

ホウ素ドープ非晶質炭素体(α-C)の物性に関する実験と理論の研究は少なく、ホウ素ドープ量
に伴うα-C の物性 (sp 3 量や密度など) の変化について一貫した結論はない。密度汎関数理論に
基づく分子動力学計算(AIMD)では、理想的な条件を仮想して、電子レベルで材料特性の研究がで
きる。本研究では、ホウ素ドープα-C の物性を AIMD 計算により調べた。