[15p-A408-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-A408-9] 4-アミノ安息香酸の電解酸化によるアモルファス炭素薄膜の表面修飾

〇(B)長島 捷悟¹、本道 由菜¹、青井 芳史¹ (1.龍谷大理工)

キーワード：表面修飾、電気化学、パルスレーザー堆積法

本研究では電気化学バイオセンサーへの応用を目的とした炭素電極材料を作製することを目標に、電解酸化を利用したアモルファス炭素薄膜への 4-アミノ安息香酸の修飾を試みた。 アモルファス炭素薄膜はパルスレーザー堆積法により、ターゲットにグラファイトを用いて導電性 Si 基板に作製した。作製したアモルファス炭素薄膜と表面修飾電極は XPS、Raman 散乱分光法、AFM により評価した。