[15p-A409-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [15p-A409-6] 界面制御によるパイロクロア型Bi₂Rh₂O₇単結晶薄膜の安定化

〇大野 瑞貴¹、藤田 貴啓¹、川﨑 雅司^1,2 (1.東大工院、2.理研CEMS)

キーワード：薄膜、パルスレーザー堆積法、パイロクロア酸化物

Rhは3価が安定であるため、4価のRhを有するパイロクロア型酸化物A₂Rh₂O₇の研究はすべてバルク多結晶を用いたものである。また、パイロクロア型酸化物薄膜に関する先行研究では、一般的に格子定数の近いYSZ基板が使用されるが、Bi-Rh酸化物の場合、新物質の層状化合物がYSZ基板上に安定化する。本研究では、PLD法を用いてパイロクロア型Eu₂Ti₂O₇バッファー層をYSZ(111)基板上に導入することで、Bi₂Rh₂O₇の安定化に成功した。