2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-B401-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月15日(水) 13:00 〜 18:00 B401 (2号館)

船戸 充(京大)、関口 寛人(豊橋技科大)、飯田 大輔(KAUST)

15:30 〜 15:45

[15p-B401-10] 同一基板上に2つの活性層を持つ高集積なGaInN 系モノリシック型 μLED アレイ

齋藤 竜成1、今泉 雄太1、長澤 剛1、小林 憲汰1、末広 好伸1、小出 典克1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1 (1.名城大理工)

キーワード:マイクロLED、モノリシックLED

RGB-モノリシック型μLEDアレイの実現のためには,垂直性の高いメサ加工技術,同一基板上に高集積なRGB-LED構造を実現することが必要である.過去の報告では垂直性の高いエッチングを用い,高垂直性,高集積,高効率な単一活性層μLEDアレイを報告した.本報告ではRGB-モノリシック型μLEDアレイの実現に向け,同一基板上に緑,青に発光する高垂直性・高集積なモノリシック型μLEDアレイを作製した.