2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-B401-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月15日(水) 13:00 〜 18:00 B401 (2号館)

船戸 充(京大)、関口 寛人(豊橋技科大)、飯田 大輔(KAUST)

16:00 〜 16:15

[15p-B401-12] 熱酸化プロセス温度がマイクロLEDの発光特性に与える影響

〇(B)篠原 豪太1、大屋 翔1、西川 敦2、Loesing Alexander2、関口 寛人1 (1.豊橋技大、2.ALLOS)

キーワード:マイクロLED、熱酸化

我々は光刺激と薬液投与が同時に可能なマイクロLED/流路神経プローブの開発を行っており,本研究では熱酸化法を用いた流路内へのSiO2保護層形成を目的とした.酸化プロセス前にKOH溶液による異方性Siエッチングを行うことで流路側面を平坦化した.次に熱酸化温度がLED特性に与える影響を調べ,750 ℃では長時間の熱処理でも光出力の低下がないことを確認した.これらを踏まえ,LED特性に影響のない流路内への均一なSiO2の形成を実現した.