[15p-B401-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-B401-14] AlInN/GaN DBR のその場反射率スペクトル測定

〇小林 憲汰¹、長澤 剛¹、柴田 夏奈¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：面発光レーザ、多層膜反射鏡

赤色 VCSEL では、その場反射率スペクトル測定による DBR および共振器の膜厚制御が報告されている。一方、GaN 系 VCSEL では上記測定による共振器膜厚制御の報告はあるものの、 AlInN/GaN DBR に関する報告はない。この DBR では成長中断を用いた成長温度変化が存在するため、それを考慮した解析が必要と考えられる。今回、精密な膜厚制御実現に向けて、AlInN/GaN DBR 成長時におけるその場反射率変化の初期検討を行った。