[15p-B401-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-B401-15] ITO電極とNb₂O₅スペーサ層を含むGaN面発光レーザー共振器長の制御

〇渡邊 琉加¹、柳川 光樹¹、長澤 剛¹、小林 憲汰¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大学)

キーワード：GaN系面発光レーザー、共振器長の制御

GaN系面発光レーザー（VCSEL）では、膜厚制御による数λの共振器長制御が必要である。我々はエピタキシャル成長時のその場反射率スペクトル測定により、GaN 共振器長を ±0.5%で制御できることを報告した。しかしながら、成長後の素子形成プロセスにおいて、共振器を構成する ITO 電極及び Nb₂O₅ スペーサ層を追加で積層する必要がある。今回、ITO あるいは Nb₂O₅ 堆積後の共振波長のシフト量から屈折率を補正することで、より正確な共振器長制御を試みた。