[15p-B401-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-B401-17] GaN光導波路電界印加型マッハツェンダ干渉計の構造検討と作製

〇亀井 拓哉¹、菅野 竜輝¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：マッハツェンダ干渉計、窒化ガリウム、光導波路

2つの方向性結合器と位相シフタからなるマッハツェンダ干渉計（MZI）を多段接続した光AIアクセラレータは、電子回路と比べて高速かつ低消費電力で計算できることが期待されている。GaNは電気光学効果を有するため、シリコンMZIより高速なGHzオーダの変調が可能であり、強誘電体と比べて閉じ込めの強いチャネル導波路を使用した素子の小型化が望める。
本研究では電界印加型位相シフタの構造を検討し、MZIの作製と評価を行う。