[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-2] ミニマルファブを用いた３軸ピエゾ抵抗型加速度センサの性能改善とMEMSデバイス歩留確認手法の検討

〇小粥 敬成¹、田中 宏幸²、居村 史人^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2,3 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.Hundred)

キーワード：ミニマル、MEMS、センサ

前回ピエゾ抵抗型３軸加速度センサを試作して、加速度特性を得ることができた。今回はセンサの性能向上を図るとともに、PMOSトランジスタの同時形成、今後の生産フェーズを睨んでMEMS歩留の確認手法を検討した。ウェハ表裏の寸法ズレ低減などのプロセス改良を行い、また同時にPMOSトランジスタを作製し特性が得られた。MEMS歩留はウェハの直接実装により簡便に確認できることがわかった。