[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-4] 分子シミュレーションを活用したジシランの表面初期吸着挙動考察

〇柄澤 元¹、芳本 祐樹¹、嶋田 章吾¹、長橋 知也¹、堀池 亮太¹ (1.KOKUSAI ELECTRIC)

キーワード：半導体、Si系プロセス、Si系薄膜

本研究では絶縁膜上への高品質シリコン薄膜形成メカニズムを明らかにするため、ジシランの初期吸着過程を検討した。シリコンウェハ上の吸着質量実験の結果分析と分子シミュレーションによる活性種の吸着反応考察から、小アイランドの高密度化が自己整合的に起きるモデルが提案された。本発表ではその他初期吸着モデル検討結果について詳細に述べる。