[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-7] Si薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration

〇佐々木 伸夫^1,2、高山 智之²、笹井 陸杜²、浦岡 行治² (1.Sasaki Consulting、2.NAIST)

キーワード：無結晶粒界の薄膜、continuous-wave レーザー、凝集

Si 薄膜のCWレーザ結晶化(CLC)において、(100) 配向無粒界結晶成長のための最適値よりも大きなレーザパワー条件で、直線的形状のagglomeration が発生することを見出した。