[15p-B508-1~18] 12.2 評価・基礎物性

[15p-B508-15] 窒素リッチな高分子状窒化炭素薄膜における光照射下での表面電位像観察

〇(M2)西尾 翔太¹、飯田 悠介¹、小林 圭²、野田 啓¹ (1.慶大理工、2.京大工)

キーワード：窒化炭素、薄膜化、KPFM

金属フリーの有機半導体材料である高分子状窒化炭素C₃N₅­­­­­­­­­は、光触媒や光電変換材料分野への応用が期待されている。本研究ではC₃N₅の薄膜化やその光・電子機能に関する新しい知見を得るために、導電性基板上への成膜を試み、得られた薄膜試料の構造や物性を評価した。さらに、電位検出において位相変調方式を採用したケルビンプローブ原子間力顕微鏡（KPFM）を用いてC₃N₅薄膜の表面電位像観察を実施し、光照射に伴う電位変化の追跡を試みた。