[15p-D221-1~14] 9.5 新機能材料・新物性

[15p-D221-3] Sb₂Te₃/強磁性体における逆スピンホール効果と界面構造

〇諸田 美砂子¹、畑山 祥吾¹、ジェバスワン ウイパコーン²、深田 直樹²、齊藤 雄太¹ (1.産総研、2.物材機構)

キーワード：カルコゲナイド、トポロジカル絶縁体、スピンホール効果

高配向Sb₂Te₃とNiFeの積層膜の逆スピンホール電圧を測定し、Sb₂Te₃膜厚との相関を調べた。その結果、Sb₂Te₃膜厚を変えたすべての積層試料で逆スピンホール電圧が観測され、Sb₂Te₃の膜厚が10nmのときに最大となった一方で、強磁性共鳴の線幅は最小となり、Sb₂Te₃膜厚に対して反対の依存性を示した。本発表では積層界面がSb₂Te₃の表面電子状態と界面スピン伝導に与える影響を議論する。