[15p-D411-1~14] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[15p-D411-9] (111) 単一量子ドットにおける価電子帯混合の効果：発光の偏光状態と正孔g因子の変化

〇鍜治 怜奈¹、陳 ジュアン¹、足立 智¹ (1.北大院工)

キーワード：量子ドット、価電子帯混合

量子情報分野への応用を目指す上で，対象とする系のスピンg因子や偏光状態の調査は重要である．特に，(111) 面上の量子ドット [(111)-QD] は励起子微細構造分裂が小さく，もつれ光子対発生で有望視されているが，実験を進める中で価電子帯混合（重い正孔と軽い正孔の状態混合：VBM）がキャリアスピン物性に強く影響することが分かってきた．本研究では，VBMがGaAs (111)-QDの正孔g因子や偏光状態に及ぼす効果を実験・理論の両面から明らかにする．