[15p-D419-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[15p-D419-7] 高濃度B添加CZ-Si単結晶育成における結晶方位の違いによる組成的過冷却現象の検討

〇(M1)細田 勝太¹、福井 勇希¹、太子 敏則¹、渡辺 雄太²、刈谷 宣政² (1.信大工、2.エム・セテック)

キーワード：シリコン、組成的過冷却、高濃度B添加

チョクラルスキー（CZ）法によるSi単結晶育成では、ドーパントが高濃度になるほど偏析現象の影響で組成的過冷却に伴うセル成長が発生し、多結晶化を引き起こすことが知られている。本研究では、高濃度B添加における[100]、[110]、[111]方位のSi単結晶を育成し、組成的過冷却に伴って発生するセル構造について検討した。