[15p-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [15p-D511-2] 陽極酸化を用いたSiワイヤ形成における転位とワイヤ断面形状の関係

〇(B)河内 美由紀¹、緑 彩帆¹、鈴木 俊明¹、丹羽 雅昭¹、本橋 光也¹ (1.東京電機大工)

キーワード：シリコン、陽極酸化、ワイヤ

現在までに、結晶欠陥(転位)を意図的に発生させた単結晶Si基板をHF水溶液中で陽極酸化することで、Siワイヤを作製する技術を開発してきた。今回は、生じた転位の状態と作製されたワイヤの断面形状との関係を検討した。溝形成時のペン圧及び陽極酸化時間を変化させてワイヤ作製を行った。その結果、ペン圧によりワイヤ断面の大きさを制御できることが分かった。また、この断面の形状は転位の状態に強く依存することが確認された。