[15p-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-D511-8] 転位発生源となるシリコン非対称傾角粒界の形成過程

〇大野 裕¹、斉藤 光²、梁 剣波³、横井 達矢⁴、松永 克志⁴、重川 直輝³、井上 耕治¹、永井 康介¹、波多 聰⁵ (1.東北大金研、2.九大先導研、3.阪公大院工、4.名大院工、5.九大総合理工)

キーワード：非対称粒界、シリコン、転位源

シリコンのキャスト成長中にしばしば形成される非対称傾角粒界は周期が2～4nmの巨大な単位胞で構成されており、効果的な転位発生源として働くことを見出した。この再構成構造は金属結晶やイオン結晶では観測されておらず、共有結合結晶に固有と考えられる。そこで、再構成の発現機構の理解を深めるため、シリコン中で高頻度に形成される典型的なΣ9{111}/{115}非対称傾角粒界の形成過程を透過電子顕微鏡観察した。