[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-E102-11] X線光電子分光によるルチル型Sn_1-xGe_xO₂薄膜のバンド端エネルギー評価

〇長島 陽¹、近松 彰²、廣瀬 靖³ (1.東大院理、2.お茶大理、3.都立大院理)

キーワード：酸化スズ、酸化ゲルマニウム、X線光電子分光

代表的な酸化物半導体であるSnO₂にGeO₂を固溶したルチル型Sn_1-xGe_xO₂（SGO）は、バンドギャップを~3.7 eV – ~4.7 eVの範囲で変調可能な超ワイドギャップ半導体であり、第一原理計算によって、Ge固溶量の増大に伴う価電子帯上端（VBM）の大きな上昇によるp型ドーピングの可能性も提案されている。本研究では、X線光電子分光法（XPS）を用いてSGO薄膜のVBMを評価した。