[15p-E102-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15p-E102-12] 【Highlighted Presentation】Selective-area-growth of rutile-type SnO₂ on TiO₂ (110) substrate

〇(D)Hitoshi Takane¹, Takayoshi Oshima², Katsuhisa Tanaka¹, Kentaro Kaneko³ (1.Kyoto Univ., 2.NIMS, 3.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:selective area growth, rutile-type structure, tin oxide

ルチル型構造酸化物半導体の転位密度低減を見据え，r-TiO₂基板上にr-SnO₂の選択成長を試み，その成長機構を明らかにした．まず，選択成長させたr-SnO₂の結晶はルチル結晶の平衡形を再現する．また、r-TiO₂ (110)基板上においてr-SnO₂はVolmer-Weber様式で成長する。TEM観察より，横方向成長領域では，転位が鏡像力効果を受け，その転位の下部で低転位領域が得られた．