[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-E102-16] (011)面方位HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィによるキラー欠陥の同定

〇(B)大坪 優斗¹、スダーン セイリープ¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、嘉数 誠¹ (1.佐賀大学、2.（株）ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：リーク電流、キラー欠陥、ショットキーバリアダイオード

β型酸化ガリウムは，4.5-4.8 eVの非常に大きなバンドギャップを持つ半導体で，次世代の低損失パワーデバイスの実現が期待されている．しかし，デバイスの耐圧特性を劣化させるキラー欠陥の低減が課題である．本研究では，(011)面にショットキーバリアダイオードを作製し，エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィを用いキラー欠陥を調べた．結果，(011)面でのキラー欠陥は多結晶欠陥であった．