2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年3月15日(水) 13:30 〜 18:15 E102 (12号館)

古田 守(高知工科大)、井手 啓介(東工大)、後藤 健(農工大)

15:45 〜 16:00

[15p-E102-9] 加熱イオン注入法によるアモルファスInGaZnO薄膜のシート抵抗値低減の検討

山根 裕也1、安田 圭佑1、宇井 利昌1、立道 潤一1 (1.日新イオン機器)

キーワード:ディスプレイ、IGZO、イオン注入

アモルファスInGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタはイオン注入を用いたソースおよびドレイン領域の抵抗値低減により高性能化・高集積化が可能だが、シート抵抗低減およびプロセスウィンドウ拡大の観点において改善の余地が大きい。本研究では、300 ℃下でa-IGZO薄膜にホウ素イオンを注入する加熱イオン注入法を用い、a-IGZO薄膜のさらなるシート抵抗値低減及びプロセスウィンドウ拡大を実現した。