[15p-PA01-1~58] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[15p-PA01-3] 第一原理計算に基づく磁気トンネル接合素子Fe-LiF-MgO の電子状態

〇関川 卓也¹、髙田 和樹¹、大野 義章² (1.新潟大院自然、2.新潟大理)

キーワード：磁気メモリー、第一原理計算、Fe-LiF-MgO

野崎らは、フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用
いた新構造の磁気トンネル接合素子を開発し、磁気メモリーで重要となる垂直磁気異方性の改善に成功した。実験的に鉄(Fe)とMgOの間にわずか1~2 原子層の非常に薄い LiF を導入することで、 Feの磁化の向きが膜面垂直方向に安定化することを見出した。
そこで本研究では、第一原理計算ソフトウェアOpenMXを用いてFe-MgO、Fe-LiF-MgO の界面のうちFe 層の スピン状態を計算し LiF層の寄与による垂直磁気異方性の安定化の起源を当日議論する 。