[15p-PA04-1~3] 13.3 絶縁膜技術

[15p-PA04-1] マンガンとバナジウムをドープしたシリコン窒化膜の電荷捕獲特性

〇諸星 大樹¹、松本 明莉¹、西垣 祐汰¹、里中 友哉²、伊藤 勇十²、荒川 裕樹²、阿部 拓未²、小林 清輝^1,2 (1.東海大院工、2.東海大工)

キーワード：不揮発性メモリ、シリコン窒化膜、欠陥準位

β-Si₃N₄結晶にバナジウムとマンガンをドープした構造について第一原理計算を行ったところ、禁制帯にエネルギーの異なる複数の欠陥準位が現れるという結果を得た。この結果に基づいて、シリコン窒化膜にバナジウムとマンガンをドープしたMONOS型メモリ素子を作製し、その諸特性を調べた。その結果、シリコン窒化膜にドープしたバナジウムは、マンガンと比べて、メモリ特性を大きく変化させることが分かった。