[15p-PA05-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15p-PA05-1] アンチモン被覆GaP表面への窒素原子取り込み様式の理論的解析

〇大根 駿¹、彦坂 昌志¹、若原 昭浩¹、山根 啓輔¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：第一原理計算、Sbサーファクタント媒介成長、点欠陥

III-V族希薄窒化物混晶中に添加したアンチモン(Sb)は表面偏析し母材結晶の発光特性や平坦性の改善につながると分かっている。しかしSb被覆GaP表面における成長様式に関しては知見が得られていないため第一原理計算により結晶性向上メカニズムを検討した。窒素と入れ替わったSbは表面に残留した方がエネルギー的に優位であることが分かりSbサーファクタント媒介成長における表面反応過程に関する知見を得られた。