[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-A301-3] 第一原理計算によるSiC側に導入された窒素の
SiC(11-20)/SiO₂界面近傍における電子状態の計算

〇立木 馨大¹、西谷 侑将^1,2、岩田 潤一^1,2、松下 雄一郎^1,2,3 (1.東工大、2.Quemix Inc.、3.QST)

キーワード：炭化ケイ素