[16a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[16a-A408-3] 核種変換によるLiドープダイヤモンドの製作(2)
-IIaダイヤモンド基板中のBeの熱拡散の調査-

〇三宅 泰斗¹、奥野 広樹¹、渡邊 幸志² (1.理研仁科センター、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、核種変換、ベリリウム

ダイヤモンドはワイドバンドギャップ半導体であり、Liをドーパントとすることで室温動作可能なn型半導体となることが予想されている。本研究では、放射性同位体元素⁷Beの⁷Liへの核種変換反応を利用して、Liを欠陥生成なしにドープしたダイヤモンドを製作することを目的とする。発表では、IIaダイヤモンド基板中のBeの熱拡散の調査として、安定同位体⁹Beを利用したコールドテストの結果と考察について報告する。