[16a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16a-B401-1] テラへルツ放射測定によるGaN:Eu/GaN 超格子構造の障壁エネルギーとキャリア輸送特性の評価

〇村上 史和¹、竹尾 敦志²、藤原 康文²、斗内 政吉¹ (1.阪大レーザー研、2.阪大院工)

キーワード：赤色LED、GaN:Eu、テラヘルツ放射測定

窒化ガリウム（GaN）にユーロピウムをドープしたGaN:Eu はGaNベースの赤色発光ダイオード（LED）材料として注目を浴びている。GaN:Eu/GaN 超格子構造によるLED 発光性能の向上が報告されているが、その性能向上メカニズムはまだ明らかになっていない。本講演ではテラヘルツ波放射測定により、GaN:Eu/GaN 超格子構造内の障壁エネルギーを見積もり、キャリアの振る舞いを明らかにした。そこから得られるLED性能向上メカニズムを報告する。