[16a-D519-1~14] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 量子ビーム界面構造計測、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

[16a-D519-1] 窒化ガリウム半導体における単一イオンヒット検出条件の検討

〇藤田 泰樹^1,2、佐藤 真一郎²、出来 真斗³、渡邊 浩崇⁴、新田 州吾⁴、本田 善央⁴、天野 浩^3,4、土田 秀次¹ (1.京大院工、2.量研、3.名大VBL、4.名大IMaSS)

キーワード：単一イオン、半導体、窒化ガリウム

半導体中にドープした不純物原子を量子ビットとして操る量子デバイスの実現には、ナノメートル精度で不純物の位置や数を制御する単一イオン注入技術の開発が不可欠である。本研究では、ワイドギャップ半導体のひとつである窒化ガリウム(GaN)に対して、α線が入射した際に発生する誘起過渡電流を解析することで、単一イオンヒット検出が可能な条件の検討をおこなった。