[16a-D519-1~14] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 量子ビーム界面構造計測、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

[16a-D519-14] 斜入射中性子を照射したInP基板から放出される¹¹⁵Inガンマ線の入射角度依存性

〇山崎 大¹、水沢 まり²、盛合 敦¹、武田 全康¹、松江 秀明¹、桜井 健次³ (1.原子力機構、2.総合科学研究機構、3.物材機構)

キーワード：表面/界面、全反射中性子、即発ガンマ線

中性子反射法と同時に表面・界面を測定でき，しかも深く埋もれた界面にも適用可能な非破壊的元素分析法として，全反射中性子利用ガンマ線分光法（TN-γ法）を提案する．JRR-3の中性子反射率計SUIRENで行ったInP基板を試料とする測定では，¹¹⁵Inに起因する中性子捕獲ガンマ線強度の中性子入射角度依存性を調べた．講演ではこの結果について報告する．