[16a-D704-1~10] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[16a-D704-6] スピントルクMRAMの書き込みエラー率分布

〇今村 裕志¹、荒井 礼子¹、松本 利映¹ (1.産総研)

キーワード：磁気メモリ、書き込みエラー率、確率分布

スピントルクMRAMは高速動作・高密度実装が可能な不揮発メモリであり、高性能化・大容量化を目指した研究開発が盛んに行われている。そのような開発では、素子ごとの物性値のバラツキに起因する書き込みエラー率(WER)の確率分布を知ることは重要である。我々は面抵抗や異方性定数が正規分布に従うと仮定し、WERの確率密度分布の導出を行なったので、その結果について報告する。