[16a-PB02-1~11] 9.5 新機能材料・新物性

[16a-PB02-6] ビスマス薄膜における電界効果応答評価

〇木村 仁哉¹、宮﨑 理央²、富田 亮¹、吉住 年弘¹ (1.埼大院理工、2.埼大工)

キーワード：薄膜、電界効果

ビスマス(Bismuth)は膜厚を数nmから数十nm程度の薄膜とすることで発現する量子サイズ効果から半金属ー半導体転移を示す。本研究では、量子サイズ効果が期待される膜厚範囲において、ビスマス薄膜の電界効果応答特性を研究した。ビスマス薄膜の電界効果応答の評価は、ビスマス薄膜を伝導チャネルとする電界効果トランジスタ(Field-effect transistor ; FET)試料にて実験を行った。