[16p-A301-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16p-A301-3] 希薄窒化物結晶の結合状態制御に向けたGaPN混晶への電子線照射試験

〇(M2)平井 健登¹、山根 啓輔¹、若原 昭浩¹、大島 武²、中村 徹哉³、今泉 充³ (1.豊橋技科大、2.量研、3.宇宙研)

キーワード：化合物太陽電池、放射線

希薄窒化物に電子線照射すると，照射したのみで結晶性が改善することがわかっている．加速電圧2 MeV，照射量を10¹²~10¹⁵cm^-2で電子線照射した時のPLスペクトルの照射照射量依存性を示し，結晶性改善のメカニズムについて考察する．