[16p-A302-1~8] マイクロ・ナノスケール微細加工の表面界面先端技術

[16p-A302-5] EUVリソグラフィー技術開発の現状および今後の展開について

〇渡邊 健夫¹、原田 哲男¹、山川 進二¹ (1.兵庫県大高度研)

キーワード：極端紫外線リソグラフィー、先端半導体微細加工技術、基盤技術開発

半導体技術革新が飛躍的に進むのは半導体微細加工技術の進展によるところが大きく、極端紫外線リソグラフィー（EUVL）技術は2019年から7 nm世代のロジックデバイスの量産に適用された。講演ではEUVL技術の現状、課題、並びに今後の展開について紹介する。また、半導体は国家安全保障上、非常に重要な技術である観点から、日本の半導体復活のシナリオについて、これまでも歴史的な経緯を含めて議論する。