[16p-A304-1~13] 13.9 化合物太陽電池

[16p-A304-13] RFマグネトロンスパッタリング法によるCu₃N薄膜の作製及び
N₂雰囲気アニールによるp型伝導の観測

〇中村 陽紀¹、石川 博康^1,2、藤中 将人¹、片桐 翔¹ (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究研究センター)

キーワード：窒化銅、p型

本研究では、RFマグネトロンスパッタリング法により作製したCu₃N薄膜に対しN₂雰囲気200～300℃でアニールを施し、特性の変化を調べた。XRD測定では、配向性・半値幅に有意な変化は認められなかった。熱起電力測定では、as-depo.試料は極性判定できなかったが、アニール試料はp型を示した。I-V測定の結果、アニール試料は全て抵抗値が減少した。抵抗値のアレニウスプロットから求めた活性化エネルギーでは、as-depo.試料は75℃以下の低温域で243 meV、75℃以上の高温域では880 meV（大きさから真性領域と考えている）となった。アニール試料は200 meV程度となった。アニールによりアクセプタ・キャリアが増加し真性領域がより高温側に移動したものと考えている。XRDの結果から、ミクロなレベルでの構造変化が原因と示唆される。