[16p-A408-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [16p-A408-11] h-BN被覆による水素終端下・単一ダイヤモンドNV中心のスピン操作

〇蔭浦 泰資^1,2、笹間 陽介¹、寺地 徳之¹、渡邊 賢司¹、谷口 尚¹、山田 圭介³、小野田 忍³、山口 尚秀¹ (1.物材機構、2.産総研、3.量研機構)

キーワード：ダイヤモンド、NV中心、六方晶窒化ホウ素

ダイヤモンド表面下の浅いNV中心は、量子情報処理や量子センシングへの応用が期待される。このような応用の際、量子スピン操作を行うためにNV中心を安定な負電荷状態にすることが重要である。本研究では、終端形成後にダイヤモンド表面を大気に晒さず六方晶窒化ホウ素で被覆することで、水素終端下であっても浅い単一ＮＶ中心の負電荷状態を実現でき、ラビ振動やハーンエコーなどの量子スピン操作が可能であることを実証した。