[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

[16p-A409-1] Si基板上エピタキシャル(K,Na)NbO₃薄膜のRTA効果

〇小川 零¹、田中 清高¹、權 相暁¹、譚 賡²、神野 伊策¹ (1.神戸大工、2.大阪公大工)

キーワード：強誘電体薄膜、非鉛強誘電体薄膜

近年、非鉛圧電材料として(K,Na)NbO₃（KNN）が注目されている。我々は、Si基板上のエピタキシャルKNN薄膜をマッフル炉を用いたポストアニールにより、逆圧電定数|e_31,f|を6.1～6.5 C/m²に増加、また安定な分極の向きが下向きに変化することを報告した。一方、高温・長時間のアニールによりKNN薄膜中のKやNaの基板側への拡散が懸念される。本研究では、マッフル炉よりも昇温や冷却時間が短い急速加熱炉を用いてKNN薄膜をアニールし、結晶構造や圧電特性における効果を検討した。