[16p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B401-11] ヨウ化水素(HI)中性粒子ビームを用いたInGaN加工特性

〇大堀 大介¹、石原 崇寬¹、王 学論^2,3、名取 伸浩⁴、佐藤 大輔⁴、Li Yiming⁵、遠藤 和彦¹、寒川 誠二^5,1 (1.東北大流体研、2.産総研、3.名大IMaSS、4.昭和電工、5.NYCU)

キーワード：中性粒子ビーム、InGaN加工

次世代ディスプレイ技術としてマイクロ(μ)LED が注目されている。μLEDはInGaN/GaN多重量子井戸(MQWs)へドライエッチングを行うことで作製される。InGaN の加工においてIn 塩化物の揮発性が乏しく加工速度が遅いため、MQW エッチングにおい て加工時間が長時間となる上、加工後の表面に残渣を形成するという課題がある。そこで本研究ではエッチング生成物であるIn化合物に対して、高い揮発性を見込めるヨウ素ガス(ヨウ化水素: HI)NBを用いて、エッチングメカニズムを議論した。