[16p-B409-1~8] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[16p-B409-4] Bi照射InP(311)B上多重積層量子ドットレーザの発振波長温度依存性

〇簗瀬 智史^1,2、赤羽 浩一²、松本 敦²、梅沢 俊匡²、山本 直克²、富永 依里子³、菅野 敦史^2,4、前田 智弘^1,2、外林 秀之¹ (1.青学大理工、2.NICT、3.広島大、4.名工大)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ、ビスマス

半導体量子ドットはエネルギー準位が離散的であり、半導体レーザのしきい値電流の温度依存性を大きく低下させる。しかし、半導体のバンドギャップは温度依存性を持つため動作温度の変化に伴って発光波長を変化させる。また、Biは半金属の性質を持つためバンドギャップの温度依存性の低減が期待されている。そこで、本研究では分子線エピタキシーによるQDレーザダイオードの結晶成長中のBi照射について検討した。