2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.12 半導体光デバイス(旧3.13)

[16p-B409-1~8] 3.12 半導体光デバイス(旧3.13)

2023年3月16日(木) 13:30 〜 16:00 B409 (2号館)

荒井 昌和(宮崎大)、顧 暁冬(東工大)

15:15 〜 15:30

[16p-B409-6] 転写プリント法によるダイヤモンド上InP系メンブレンレーザーの作製

〇(M1)佐藤 拓未1、前田 圭穂2、相原 卓磨2、藤井 拓郎2、山岡 優2、開 達郎2、武田 浩司2、瀬川 徹2、岩本 敏3、荒川 泰彦4、松尾 慎治2、太田 泰友1 (1.慶大理工、2.NTT先端集積デバイス研究所、3.東大先端研、4.東大ナノ量子機構)

キーワード:半導体レーザー、ダイヤモンド、転写プリント

光通信用光源におけるInP系メンブレンレーザーの極限性能追及には排熱特性の向上が重要となる。そこで我々は熱伝導性に優れたダイヤモンド基板上へレーザー構造を形成する技術の開発を行っている。特に自在な異種材料集積が可能な転写プリント法を用いたレーザー作製を進めている。今回、研磨・洗浄による基板の平坦化を行いダイヤモンド基板上へのInP系メンブレンレーザーの転写プリント集積に成功したので報告する。