2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

[16p-D221-1~11] 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

2023年3月16日(木) 14:00 〜 17:15 D221 (11号館)

尾崎 壽紀(関西学院大)、一野 祐亮(愛工大)、元木 貴則(青学大)

14:15 〜 14:30

[16p-D221-2] As-grown MgB2薄膜の短時間アニール効果

山﨑 輝1、田代 達哉1、川山 巌1、〇土井 俊哉1 (1.京大)

キーワード:超伝導、二ホウ化マグネシウム薄膜、ポストアニール

Si基板上にEB蒸着法でMgB2薄膜を作製し,600, 650, 700, 750℃で1秒間の後アニールを行った。As-grown薄膜のTcは34.4 Kであったが、600、650、700、750℃で1秒の後アニールを施した試料のTcはそれぞれ35.5、35.9、35.7、35.9 Kであり、1秒アニールすることでTcは1.1-1.5 K向上した。as-grown MgB2薄膜に対する後アニールは1秒という短時間でも効果があることが分かった。