[16p-D411-1~13] 9.4 熱電変換

[16p-D411-9] エピタキシャル ZnO薄膜/Al2O3の歪制御によるゼーベック係数増大

〇小松原 祐樹¹、石部 貴史¹、大江 純一郎²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.東邦大)

キーワード：ゼーベック係数、歪、酸化亜鉛

熱電性能の向上には高いゼーベック係数(S)と高い電気伝導率、低い熱伝導率(k)が求められる。我々は低いk、大気中安定なZnO薄膜に注目し、ZnOと格子不整合度の異なるc、r-Al2O3基板上にエピタキシャルAl doped ZnO（AZO）薄膜を成長した。Sを比較すると、AZO/r-Al2O3のほうが高い値を示したが、その増大機構は未解明であった。本研究では、そのS増大機構が格子不整合由来の歪とAl導入量の増加効果による有効質量増大に起因すると考察した。