[16p-D419-1~18] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[16p-D419-3] GdFeフェリ磁性薄膜におけるゼーベック効果に由来する異常ネルンスト効果の検討

〇小林 祐希¹、笠谷 雄一²、吉川 大貴²、塚本 新² (1.日大院理工、2.日大理工)

キーワード：GdFe、異常ネルンスト効果、フェリ磁性体

異常ネルンスト効果は，①温度勾配(x方向)が勾配に直交(y)方向の電界に直接変換される寄与と②ゼーベック効果により生じた電流と異常ホール効果による横電圧への寄与の和S_ANE = ρ_xxα_xy - ρ_AHEα_xxとして考えられ，S_ANEの起源について検討がされている.本研究では上記②に留意し、GdFeフェリ磁性薄膜における異常ネルンスト効果とゼーベック効果および異常ホール効果の相関につき検討した。