[16p-D704-1~18] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

[16p-D704-6] InGaAs/InAlAs(110)多重量子井戸における面直Dresselhaus有効磁場評価

〇佐藤 翔太¹、菅谷 恭兵¹、中西 晃一¹、横田 信英²、好田 誠²、森田 健¹ (1.千葉大院工、2.東北大院工)

キーワード：InGaAs (110) 多重量子井戸、面直Dresselhaus有効磁場、モンテカルロシミュレーション

III-V族半導体量子井戸 (QW) 中のスピン軌道相互作用 (SOI) は、運動量をもつ電子に対して有効磁場として働くため、有効磁場を用いた実用的なスピンデバイスの実現が期待されている。本研究では、室温での (110) 面 InGaAs QWsにおいて、電子スピンの空間スキャン測定と、実験結果を再現するモンテカルロシミュレーションを行った。面直有効磁場を多角的に評価することで、(001)面に比べて大きなDresselhaus SO係数が得られることを結論付けた。