[16p-E502-1~9] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [16p-E502-2] 高急峻スイッチング有機単結晶TFTにおけるゲート絶縁膜材料に依存したキャリア注入

〇(M2)村田 啓人¹、井上 悟¹、東野 寿樹²、長谷川 達生¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：有機半導体、トランジスタ、キャリア注入

実用上重要なボトムゲート・ボトムコンタクト型TFTは、その構造上絶縁膜がキャリア注入に大きな影響を及ぼしうると考えられる。そこで本研究では塗布型単結晶TFTを作製し、接触抵抗に対する絶縁膜材料の効果を調べた。結果、高撥液性のCytop絶縁膜を用いた素子はパリレン絶縁膜を用いた素子と比べてデバイス移動度が2〜3倍ほど高い値を示し、接触抵抗が1桁以上低いことが明らかになった。