[16p-PA03-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[16p-PA03-5] 常圧超高濃度オゾン水生成装置の開発

〇三浦 敏徳¹、加藤 直樹¹、中川 彰利¹、清家 聡¹ (1.明電舎)

キーワード：オゾン水、半導体製造工程、化学洗浄

従来オゾン水の高濃度化手法として利用されてきた加圧法を、濃度約100％のオゾンガスを用いることで、大気圧で400ppm以上の超高濃度オゾン水を供給できる装置を開発した。高濃度のオゾンガスは爆発反応の危険があるため溶解部は30kPa以下の減圧となる様に工夫した。本オゾン水は、近年環境負荷低減の観点から使用制限が求められている半導体製造工程等で用いられる有害薬品の代替として期待される。