[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-12] Mgイオン注入後超高圧アニールを行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価

〇畠山 優希¹、赤澤 正道¹、成田 哲生²、Bockowski Michal^3,4、加地 徹³ (1.北大量集センター、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研、4.Unipress)

キーワード：窒化ガリウム、超高圧アニール

GaNによる高効率パワーMOSFETの実現のためには、イオン注入技術の確立が重要な課題である。イオン注入後GaNに対する超高圧アニール(UHPA)は、その確立のために有望な技術であり、nチャネル反転型MOSFETの良好な動作にはGaN MOS界面の制御が必須である。今回我々は、UHPA後のMgイオン注入GaNを用いてMOS構造を作製し、伝導帯付近の界面近傍禁制帯準位について調べた結果を報告する。