[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-14] GaNのマイクロ波アニーリングにおける加熱効率の評価と考察

〇中村 考志¹、鄭 恵貞²、田中 敦之²、天野 浩² (1.産総研、2.名大)

キーワード：マイクロ波、窒化物、アニーリング

GaNをマイクロ波の磁場に配置し電磁波エネルギーを加えると20秒で1400℃以上に加熱できることをこれまで見出した。この加熱現象を理解するため、GaNの発熱データと電磁界の強度およびパワー密度のシミュレーションデータとを照らし合わせ、加熱効率を評価・考察する。