[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-9] 光電子ホログラフィーによるGaN表面の窒素原子に関する評価

〇夏井 葉月¹、上沼 睦典¹、桑原田 進吾¹、富田 広人¹、橋本 由介¹、松下 智裕¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、パワーデバイス

GaNパワーデバイスでは、イオン注入や高温アニールにより窒素空孔が発生し，表面欠陥の増大などが問題となっている。本研究ではGaN中のN原子に着目して、GaN最表面の原子構造についてSPring-8の高分解能阻止電場型電子エネルギー分析装置により光電子ホログラフィー測定を行った。