[16p-PA08-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-PA08-10] 反応性DCスパッタ法で堆積したZnO薄膜の基板位置依存性

〇(B)佐藤 陽輝¹、近藤 駿¹、モハメッド シュルズ ミヤ¹、中野 武雄¹ (1.成形大理工)

キーワード：酸化亜鉛、反応性DCスパッタ法

VO₂のバッファ層としてZnO薄膜をガラス基板上にc軸配向成長させることを目的とした。VO₂の結晶性はZnOバッファ層の結晶性に強く依存するため、結晶性のよいZnO薄膜の作製を目指した。Znターゲットを使用し、酸素をチャンバー内に導入して反応性DCマグネトロンスパッタ法でZnO薄膜を作製した。基板をターゲットの中心対向領域とエロージョン対向領域に設置し、製膜を行いZnO薄膜の結晶性を比較した。