[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-1] β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光電流

〇前田 拓也¹、江間 研太郎²、佐々木 公平² (1.東大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：Franz-Keldysh効果、酸化ガリウム、光電流

半導体に高電界を印加すると電子・正孔の波動関数が禁制帯中に浸み出し，基礎吸収端より短波長側で吸収係数の振動，長波長側で裾引きが起こる．これはFranz-Keldysh (FK)効果として知られている．本研究では，β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードに基礎吸収端より長波長の単色光を照射し，光電流の逆バイアス電圧依存性・波長依存性を調べ，FK効果に起因した光吸収の測定・解析に成功したので報告する．